分数量子霍尔效应区域中的巨大纵向电阻
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
窄单量子阱的磁阻与通常行为截然不同。在填充因子 2/3 和 3/5 处，我们观察到纵向电阻出现大而尖锐的极大值，而非预期的极小值。电阻的峰值超过周围磁场区域的值达三倍之多。极大值的形成发生在非常大的时间尺度上，这表明其与核自旋密切相关。我们讨论了由于不同电子态畴的形成而观察到的极大值的性质。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9804283,
title = {Huge Longitudinal Resistance in the Fractional Quantum Hall Effect Regime},
author = {S. Kronmueller and W. Dietsche and J. Weis and K. v. Klitzing and W. Wegscheider and M. Bichler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9804283},
year = {2007}
}
备注
4 pages, 4 pictures