栅控石墨烯超晶格中的角度依赖带隙工程
介观与纳米尺度物理
2015-06-04 v1 材料科学
摘要
石墨烯超晶格（GSs）因其奇特性质及潜在技术意义而备受关注。这些特性包括色散关系中的额外狄拉克点以及载流子的高度各向异性传播。然而，尽管对 GSs 进行了大量研究，迄今尚无关于 GSs 中透射隙（TG）角度依赖性的报道。本文中，我们报道了在一种相当简单的静电 GS（EGS）中 TG 作为入射狄拉克电子角度函数的依赖性。我们的结果表明 TG 的角度依赖性错综复杂：对于中等角度呈抛物线依赖，而对于大角度则呈现指数依赖。我们还发现，通过改变 GS 的结构参数，可将 TG 从 meV 调制到 eV。这些特性为石墨烯中角度依赖的带隙工程开辟了可能。
引用
@article{arxiv.1506.01335,
title = {Angle-dependent bandgap engineering in gated graphene superlattices},
author = {H. Garcia-Cervantes and L. M. Gaggero-Sager and O. Sotolongo-Costa and G. G. Naumis and I. Rodriguez-Vargas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.01335},
year = {2015}
}