三带 Hubbard 模型的解析基态
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
对于计算诸如光子能谱或电子能损谱中观察到的电荷激发，正确描述无掺杂 cuprates 中基态电荷性质至关重要。在这种高度相关系统中，这是一个高度非平凡的问题。本文推导了三带 Hubbard 模型在无限、半填充的 CuO_2 平面上的基态的非扰动解析近似。通过与投影量子蒙特卡罗计算进行比较，证明所得表达式正确描述了基态的电荷性质。讨论了与其他方法的关系。该解析基态保持大小一致性，可推广至其他几何形状，同时保持易于解释和求值的特性。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9904244,
title = {Analytical ground state for the three-band Hubbard model},
author = {C. Waidacher and J. Richter and R. E. Hetzel and K. W. Becker},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9904244},
year = {2009}
}
备注
REVTeX, 8 pages, 6 figures, to appear in Phys. Rev. B