超快中红外脉冲对量子点全光荧光闪烁控制

光致发光（PL）间歇性是普遍存在的现象，有害地降低了单个胶体量子点（CQDs）的时间发射强度稳定性及其系综的发射量子产率。尽管通过量子点结构及其环境的化学工程来抑制闪烁，闪烁仍对量子点的应用构成障碍，尤其在生物单粒子追踪或单光子源中。在此，我们展示了首个使用可见光与中红外（MIR）激发复合技术的量子点闪烁确定性全光抑制。我们表明，中等场强超快 MIR 脉冲（5.5 $\mu$m，150 fs）可在 CdSe/CdS 核壳量子点中将发射从带电、低量子产率的“灰”三重态切换到“亮”激子态，从而显著减少量子点强度闪烁。量子隧穿模拟表明，MIR 场将低发射量子产率的三重态中多余电荷移除，以恢复更高亮度的激子发射。我们的方法可与现有单粒子追踪或超分辨显微技术集成，无需对样品作任何修改，并可推广至其他呈现电荷诱导 PL 间歇性的发射体，如金刚石和二维材料中的单光子发射缺陷。