中文

实空间与倒空间拓扑在旋错处的加和规则

超导电性 2024-05-24 v1 其他凝聚态物理

摘要

拓扑材料以其能在边界(如表面、边缘和角)容纳局域态而闻名。伴随这些态,分数电荷出现在边界元胞上。近来,晶体缺陷的旋错处拓扑束缚态和分数电荷已在理论上预测。这种所谓体-旋错对应已在人工晶体结构(如微波电路阵列和光子晶体)中实验证实。在此,我们展示了实空间拓扑不变量s\mathbf{s}(与伯格斯矢量B\mathbf{B}相关)与倒空间拓扑不变量p\mathbf{p}(体波函数的矢量Zak相位)之间的加和规则。仅当s+p/2π\mathbf{s}+\mathbf{p}/2\pi拓扑非平凡时,束缚态与分数电荷才在旋错中心一致;否则,即使俘获了分数电荷,也不形成束缚态。除分数电荷与束缚态的解离外,该加和规则还决定了仅延伸过样品一半的半束缚态的存在,以及由实空间和倒空间拓扑共同保护的超稳定束缚态。我们的结果为正在进行中的拓扑物质研究增添了另一个维度,并可能孕育有趣的应用。

关键词

引用

@article{arxiv.2202.09560,
  title  = {Additive rule of real and reciprocal space topologies at disclinations},
  author = {Qinghua He and Jinhua Sun and Hai-Yao Deng and Katsunori Wakabayashi and Feng Liu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2202.09560},
  year   = {2024}
}