Bi$_2$Te$_3$及其他半导体材料中的声阻抗与界面声子散射
材料科学
2015-06-11 v1
摘要
我们提出了 Bi2Te3 声子色散的第一性原理计算，并讨论了其与陶瓷中声学声子界面散射的关系。声子色散与中子散射已知的 optic 模式结果一致。我们发现广义梯度近似与局域密度近似在声学支上存在差异。这是由于在使用广义梯度近似时，Bi2Te3 结构中范德华键合间隙发生了人为压缩所致。因此，局域密度近似计算能更好地描述 BiTe 中的声子色散。声学色散的一个关键特征是速度存在强烈的各向异性。我们开发了一个考虑声波各向异性的陶瓷界面散射模型，将其应用于 Bi2Te3，并与 PbTe 和金刚石进行了比较。
引用
@article{arxiv.1209.6555,
title = {Acoustic impedance and interface phonon scattering in Bi$_2$Te$_3$ and other semiconducting materials},
author = {Xin Chen and David Parker and David J. Singh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.6555},
year = {2015}
}