吸收率标记：探测无序二维半导体中的量子几何与Wannier函数扩散

通过拓扑标记形式将二维半导体的光学吸收率推广到单个晶格位点，得到一种吸收率标记。该标记允许研究因杂质引起的吸收率在原子尺度上的变化，从而定量化无序对量子几何和价带态Wannier函数扩散的影响。将该标记应用于过渡金属硫化物，发现杂质引起的吸收率抑制非常局部化，导致宏观尺度上的吸收率按杂质密度比例下降，与对等离子体处理WS$_{2}$实验结果良好一致。