PbTe 量子阱微结构中非局域电阻的缺失
介观与纳米尺度物理
2013-01-24 v2
摘要
我们报告了允许设定 PbTe 量子阱中自旋霍尔效应和边缘通道电导上限的实验，该量子阱嵌于 PbEuTe 势垒之间。我们重新检验了先前在 n 型 PbSe 和 PbTe 外延微结构上获得的数据，其中发现了显著的非局域效应和可复现的磁阻振荡。在此我们表明，这些效应是由邻近 BaF 衬底的贯穿位错准周期网络引起的，该网络产生 p 型界面层及相关的寄生并联电导。随后，我们展示了调制掺杂 PbTe/(Pb,Eu)Te:Bi 异质结构微结构的输运测量结果，在这些结构中寄生并联电导的影响被最小化，并且先前在类似样品中观察到了量子霍尔输运。这些结构呈 H 形几何形状，由嵌于 PbEuTe 势垒之间的 12 nm 厚应变 PbTe 量子阱制成。这些结构具有不同的横向尺寸，对应于不等价 L 谷中的扩散和弹道电子输运。对于这些结构，未检测到非局域电阻，证实了 PbTe 是平庸绝缘体。在扩散区制下，PbTe/PbEuTe 微结构的自旋霍尔角 估计小于 0.02。
引用
@article{arxiv.1111.2433,
title = {Absence of nonlocal resistance in microstructures of PbTe quantum wells},
author = {K. A. Kolwas and G. Grabecki and S. Trushkin and J. Wróbel and M. Aleszkiewicz and Ł. Cywiński and T. Dietl and G. Springholz and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.2433},
year = {2013}
}
备注
A substantially expanded paper, 11 pages and 11 figures