Pt$_2$HgSe$_3$ 纳米带中的拓扑传输：面向自旋电子器件集成的洞见
介观与纳米尺度物理
2024-07-04 v1 材料科学
摘要
量子自旋哈姆效应的发现促使人们探索用于自旋电子器件的电子传输。本文在理论上考察了大带隙真实量子自旋哈姆系统中 PtHgSe 纳米带的电子电导。通过第一性原理方法，我们发现边缘态的渗透深度约为 \,nm，远小于其他二维拓扑系统的预测值，从而表明 PtHgSe 允许在狭窄纳米带中利用拓扑传输特性。使用非平衡格林函数计算，我们考察了在 PtHgSe 散射区域随机分布的 Se\,\,Hg 反结构缺陷下，电子的电导。考虑散射长度为 \,nm 时，我们发现窄纳米带（\,nm）的局域化长度可超过微米尺寸。这些发现有助于进一步理解在真实条件下拓扑绝缘体的行为，并促进其在电子器件和自旋电子器件中的集成。
引用
@article{arxiv.2405.06861,
title = {Exploring Topological Transport in Pt$_2$HgSe$_3$ Nanoribbons: Insights for Spintronic Device Integration},
author = {Rafael L. H. Freire and F. Crasto de Lima and Roberto H. Miwa and A. Fazzio},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.06861},
year = {2024}
}