玻色子与费米子耗散输运的统一界面模型

我们研究耗散设定下一维晶格中玻色子的定向输运，其中跳跃仅由与马尔可夫库耦合所促成。通过结合数值模拟与场论分析，我们考察该过程的电流涨落并确定其渐近行为。这些发现表明耗散玻色输运属于KPZ普适类，因此尽管底层粒子统计存在剧烈差异，其粗粒化行为与费米子对应的非对称简单排斥过程（ASEP）相同。然而，当关注电流涨落的全计数统计时，两过程间出现关键差异。通过将两模型映射至涨落界面物理，我们发现玻色子与费米子的耗散输运可分别理解为表面生长与侵蚀过程。在此统一描述中，输运全计数统计的相似与差异均得以调和。除纯理论意义外，这些发现与冷原子或纳米光子晶格中长寿命准粒子的实验相关，此类输运情形可在其中实现。