CdGeAs$_{2}$ 直接带隙半导体中电子波函数的平凡几何相位

黄铜矿化合物因其在多种实验中的奇异拓扑相及相关现象而被广泛研究。本文中，我们讨论直接能隙半导体 CdGeAs$_{2}$ 的电输运性质。观测到的横向磁电阻（MR）在温度 1.8 K、磁场 14 T 下约为 136%，遵循半经典指数 MR $\sim$ $B^{2.18}$。MR 分析表现出对 Kohler 规则的违背，表明系统中涉及多种载流子。在 15 K 以下，随磁场减小，MR 增大，导致众所周知的量子干涉现象弱局域化（WL）。基于 Hikami-Larkin-Nagaoka（HLN）模型对磁电导率数据的分析揭示了 CdGeAs$_{2}$ 中 WL 的三维特性及弱自旋轨道耦合。相位相干长度遵循 $L_{\phi}$ $\sim$ $T^{-0.66}$ 幂律，显示出所观测 WL 特征的三维性质。