半导体中诱导 d0 磁性的新途径提案
材料科学
2013-04-11 v1
摘要
我们提出利用间隙缺陷的独特性质作为 alpha-PbO 晶体结构内的磁性杂质，从而在半导体中诱导磁性。Pb 间隙缺陷产生具有两个在位电子的 p 局域态，以遵循洪德规则进行排序。研究表明，除了 Pb 间隙外，其他具有 外壳层构型的非磁性杂质也可用于诱导 d0 磁性，并有可能通过改变电子数（1< x< 3）来调节局部磁矩 。发现此类缺陷之间的磁耦合由长程有序相互作用驱动，结合高缺陷溶解度，有望使磁渗流保持在室温以上。
引用
@article{arxiv.1304.2945,
title = {A proposed new route to d0 magnetism in semiconductors},
author = {J. Berashevich and A. Reznik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.2945},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 2 figures