硼、碳和氮杂质诱导的 BeO 纳米管电子结构与磁性
材料科学
2008-05-14 v1
摘要
我们进行了 ab initio 计算，系统研究了非磁性 sp 杂质（硼、碳和氮）诱导的绝缘非磁性氧化铍纳米管的电子性质和磁性。我们发现，在这些取代氧原子的 sp 杂质存在下，非磁性 BeO 纳米管转变为磁性半导体，其磁化源于位于 BeO 管禁带中的 (B,C,N) 2p 态的自旋分裂。杂质的磁矩在 0.65 到 1.60 之间变化。相反，当 (B,C,N) 掺杂剂取代 Be 原子或存在氧空位时，BeO 纳米管保持非磁性状态。
引用
@article{arxiv.0805.1774,
title = {Electronic structure and magnetism in BeO nanotubes induced by boron, carbon and nitrogen impurities},
author = {M. A. Gorbunova and I. R. Shein and Yu. N. Makurin and V. V. Ivanovskaya and V. S. Kijko and A. L. Ivanovskii},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.1774},
year = {2008}
}
备注
13 pages, 3 figures