磁场驱动下整数量子霍尔效应与分数量子霍尔效应中耗散态破缺的微观模型

朗道能级内的热激发（从尾部的局域态跃迁至同一朗道能级中迁移率边以上的非局域态）解释了多种载流子浓度、迁移率和无序程度差异巨大的量子霍尔样品的 $B_c(T)$（耗散态半宽）相图。在跨越 2-3 个数量级的温度和磁场范围内，对广泛的填充因子均取得了良好的一致性。研究发现，朗道能级宽度与磁场无关。在朗道能级重叠程度发生变化时，迁移率边会发生移动，以维持该能量处依赖于样品的临界态密度。对填充因子 $\nu=2/3$ 的分析表明，复合费米子朗道能级与其电子对应能级具有完全相同的宽度。该模型的一个重要组成部分是具有长尾的洛伦兹展宽，它提供了位于能隙深处的局域态，这对于复现实验中观测到的稳健的高温 $B_c(T)$ 相至关重要。