以六方氮化硼为接触层的无滞回石墨烯纳米机电开关
应用物理
2021-08-03 v2 材料科学
摘要
纳米机电(NEM)接触开关作为经典场效应晶体管(FET)的替代方案之一已被广泛研究。为实现互补金属氧化物半导体(CMOS)集成电路(IC)的终极微缩,人们期望获得具有0 mV/dec无滞回开关斜率(SS)的理想NEM接触开关,但从未实现。本文展示了一种以hBN为接触层、低下拉电压、无滞回的石墨烯基NEM接触开关。通过利用石墨烯与六方氮化硼(hBN)之间较弱的粘附能,滞回电压被大幅降低。以hBN为接触层的石墨烯NEM接触开关表现出低于2 V的低下拉电压、超过6×10^4次开关周期的高接触寿命、10^4数量级的ON/OFF比以及小至低于0.1 V的滞回电压。我们的G-hBN NEM接触开关有望用于超低功耗高能效的CMOS IC。
引用
@article{arxiv.2105.02123,
title = {A Hysteresis Free Graphene Based Nanoelectromechanical Switch With Hexagonal Boron Nitride As A Contact},
author = {Jothiramalingam Kulothungan and Huynh Van Ngoc and Manoharan Muruganathan and Hiroshi Mizuta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.02123},
year = {2021}
}
备注
The manuscript contains error in the long-term switching cycles