Si 在压痕作用下相变的完整拉曼映射
材料科学
2008-07-14 v2 其他凝聚态物理
摘要
本研究在室温下使用 Berkovich 压头，通过压痕实验研究了晶体 Si 衬底的压力诱导相变。利用拉曼散射研究来识别转变后的相。采用拉曼线扫描和面扫描来定位压痕区域内的相。通过计算压痕区域内的压力等值线来理解相分布。我们在此报告了对迄今为止报道的所有 Si 相的综合研究，从而有助于理解可能用于机电应用的材料特性。作为一个主要发现，压痕区域内非晶相的分布偏离了仅存在于中心区域的传统观点。我们展示了 Si(100) 和 Si(111) 衬底的相映射结果。
引用
@article{arxiv.0807.0843,
title = {A complete Raman mapping of phase transitions in Si under indentation},
author = {C. R. Das and H. C. Hsu and S. Dhara and A. K. Bhaduri and B. Raj and L. C. Chen and K. H. Chen and S. K. Albert and A. Ray and Y. Tzeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0843},
year = {2008}
}
备注
12 pages, 6 figures, Submitted in Journal