硅中纳米压痕诱导的相变
材料科学
2007-08-10 v1
摘要
本文研究了硅中纳米压痕诱导的相变。使用尖锐的金刚石 Berkovich 压头进行了一系列纳米压痕实验。在纳米压痕过程中，最大载荷范围为 2000 N 至 5000 N，加载速率为 1000 N/sec。选择 100N/sec 的慢卸载速率以促进晶态终相，即高压相（Si-III 和 Si-XII）的形成。使用 1000N/sec 的快卸载速率以获得非晶相。通过 Raman 光谱和平面透射电子显微镜（TEM）对相变进行了检测。即使在载荷-深度特征曲线中未观察到“pop-in”和“pop-out”现象，也鉴定出了高压相。当最大载荷达到 3000 N 时，高压相出现在 c-Si 中。TEM 图像表明，在 5000 N 的最大载荷下，c-Si 中纳米尺度的高压相转变达到最优。
引用
@article{arxiv.0708.1294,
title = {Nanoindentation-Induced Phase Transformation in Silicon},
author = {R. Rao and J. -E. Bradby and J. -S. Williams},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1294},
year = {2007}
}