使用集总参数模型对光刻胶与光刻工具的比较研究

本文对高分辨率光刻工具的性能进行了比较。我们在相同条件下处理的两种不同光刻胶上使用极紫外干涉光刻、电子束光刻和氦离子束光刻工具。通过实验确定清除剂量和光刻对比度，并用于比较每种工具的相对效率。结果与先前研究进行了比较，并根据每种工具特定的二次电子产额进行了解释。此外，通过曝光密集线条/间距图案研究了图形化性能，并讨论了关键尺寸与曝光剂量之间的关系。最后，采用集总参数模型，利用每种工具特定的空间像，定量估计线条/间距的关键尺寸。然后，通过将模型拟合到干涉光刻曝光的实验数据并提取光刻胶对比度，验证了我们的实现。