闪锌矿结构 III-V/IV 族外延：台阶偏角的重要性
材料科学
2020-05-27 v1
摘要
在此，我们阐明了在 III-V/IV 族晶体生长过程中台阶偏角（miscut）的核心作用。我们表明，台阶偏角首先影响初始反相畴分布，存在两种不同的由成核驱动和由平台驱动的 regime。进而推断反相畴分布的均值相位和平均横向长度如何受台阶偏角影响。通过对在标称和近邻 Si 衬底上生长的 GaP 与 GaSb/AlSb 样品中反相畴分布的比较，给出了实验验证。随后通过扫描隧道显微镜在原子尺度上观察了 GaP/Si 样品的反相畴埋藏步骤。由台阶偏角产生的步骤导致晶体两相之间的生长速率失衡，且生长条件可深刻改变该失衡系数，正如 GaAs/Si 所展示的那样。我们最终解释了即便在低台阶偏角衬底上如何实现单畴 III-V 半导体构型。
引用
@article{arxiv.2001.05386,
title = {Zinc-Blende group III-V/group IV epitaxy: importance of the miscut},
author = {C. Cornet and S. Charbonnier and I. Lucci and L. Chen and A. Letoublon and A. Alvarez and K. Tavernier and T. Rohel and R. Bernard and J. -B. Rodriguez and L. Cerutti and E. Tournie and Y. Leger and G. Patriarche and L. Largeau and A. Ponchet and P. Turban and N. Bertru},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.05386},
year = {2020}
}