HgTe量子阱和石墨烯多层膜中的齐纳隧穿自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2012-06-29 v2
摘要
齐纳二极管是半导体电子学中的典型器件，它由一个pn结构成，其中外部电场在电流-电压特性中诱导开关行为。我们研究了HgTe量子阱和石墨烯多层膜中的齐纳隧穿。我们发现隧穿跃迁概率对载流子相对于势垒的平行动量具有不对称依赖性。在HgTe量子阱中，这种不对称性对于每个自旋是相反的，而对于石墨烯多层膜，对于每个谷自由度是相反的。在两种情况下，都会产生垂直于施加电场方向流动的自旋/谷电流。我们将这种齐纳隧穿自旋/谷霍尔效应的起源归因于载流子从带隙区域绝热反射时获得的Berry相位。
引用
@article{arxiv.1107.3452,
title = {Zener tunneling isospin Hall effect in HgTe quantum wells and graphene multilayers},
author = {Martha Lasia and Elsa Prada and Luis Brey},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3452},
year = {2012}
}
备注
10 pages, 8 figures. Major changes. The message has been revised and expanded