GaN 中浅施主的塞曼劈裂
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
采用有效质量理论方法研究立方和六方 GaN 中施主谱的塞曼劈裂。使用软核赝势描述不同取代掺杂剂的化学位移。计算得到的施主基态能量范围为 29.5 至 33.7 meV，六方相通常具有约 1 meV 更高的束缚能。发现碳产生最大的施主束缚能。电离能级和激发态与霍尔效应和光学测量结果极好地吻合，并提示近期实验中存在残留碳。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9809219,
title = {Zeeman splitting of shallow donors in GaN},
author = {Francisco Mireles and Sergio E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809219},
year = {2009}
}
备注
REVTEX file - 2 figures