用于CdSe量子阱的 wurtzite MnSe 垛体——内置电场
材料科学
2026-03-04 v1
摘要
最近，因其伴随补偿磁序的自旋分裂能带结构而共存的磁性材料（altermagnetic materials）受到了广泛关注，这些材料产生了众多具有潜在应用价值的效应。将此类引人注目的化合物纳入低维结构中代表了一个重要的方向，旨在利用并增强其功能性。此类材料中的显著例子是半导体，适合用于带隙工程策略。本文首次提出了可见光发光的 CdSe 量子阱，其中 wurtzite MnSe 作为一种 altermagnetic 候选材料发挥作用。光滞后实验显示，在此类量子阱中存在内置电场，并对发射光子能量、复合动力学以及激发功率依赖性产生强烈影响。数值模拟允许我们估计该电场大小为 14 MV/m。我们预期，这些量子阱提供了探索垛体性质的潜力，同时 wurtzite MnSe 是研究 altermagnetism 与内置电场相互作用的有趣平台。
引用
@article{arxiv.2508.17899,
title = {Wurtzite MnSe as a barrier for CdSe quantum wells with built-in electric field},
author = {M. J. Grzybowski and W. Pacuski and J. Suffczyński},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.17899},
year = {2026}
}