hBN 中光学活性缺陷的宽场光谱超分辨率成像
光学
2019-03-20 v2 材料科学
摘要
点缺陷可对材料的力学、电子和光学性质产生显著影响。因此，从集成纳米光子技术的建立到材料生长优化，发展稳健、多维、高通量及大尺度的缺陷表征技术至关重要。在此，我们展示了宽场光谱单分子定位显微镜（spectral SMLM）在测定系综光谱性质以及表征 CVD 生长与辐照剥离六方氮化硼（hBN）材料中单缺陷的空间、光谱和时间动力学方面的潜力。我们表征了样品的异质光谱响应，并在 CVD 生长材料中识别出至少两类缺陷，而辐照剥离薄片主要仅显示一类缺陷。我们分析了每类缺陷的闪烁动力学与光谱发射，并讨论了它们相对于所观测样品光谱异质性的意义。本研究展示了宽场光谱 SMLM 技术在材料科学中的潜力，并为缺陷性质的定量多维成像铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1901.06989,
title = {Wide-field spectral super-resolution mapping of optically active defects in hBN},
author = {Jean Comtet and Evgenii Glushkov and Vytautas Navikas and Jiandong Feng and Vitaliy Babenko and Stephan Hofmann and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Aleksandra Radenovic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.06989},
year = {2019}
}