纳米级分辨率的光学活性缺陷成像

点缺陷由于与载流子的相互作用，会显著影响固态材料的光学和电学性质，从而降低带间光学跃迁能。人们一直需要开发直接的光学成像方法，以实现对单个缺陷的纳米级分辨率原位表征。在这里，我们利用单分子定位显微镜，展示了对单层六方氮化硼中单个光学活性缺陷的定位与定量计数。通过利用缺陷发射体的闪烁行为在一个衍射受限区域内对多个发射体进行时间上的隔离，我们能够分辨点对点距离低至十纳米的两个缺陷发射体。本工作所展示的结果与结论，为缺陷在未来量子信息处理和生物成像中的应用增添了前所未有的维度。