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真实非晶硅模型的振动行为

材料科学 2009-11-13 v1

摘要

研究了一个高质量真实非晶硅模型的振动性质。计算了纵向和横向动力学结构因子,并将其拟合到阻尼谐振子(DHO)函数。对于波矢 k0.55A˚1k\lesssim0.55\textrm{\AA}^{-1},纵向动力学结构因子的最佳拟合DHO的宽度 Γ\Gamma 近似按 k2k^{2} 标度,这高于在 k=0.38±0.03A˚1k=0.38\pm0.03\textrm{\AA}^{-1} 处发生的、分隔传播区和扩散区的Ioffe-Regel交叉频率。使用DHO函数作为横向动力学结构因子的拟合函数(没有理论依据),对于波矢 k0.7A˚1k\lesssim0.7\textrm{\AA}^{-1},得到 Γkα\Gamma\propto k^{\alpha} 的依赖关系,其中 α2.5\alpha\sim2.5。对于两种极化,都没有发现 Γk4\Gamma\propto k^{4} 行为的证据。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0701170,
  title  = {Vibrational behaviour of a realistic amorphous-silicon model},
  author = {J. K. Christie and S. N. Taraskin and S. R. Elliott},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0701170},
  year   = {2009}
}

备注

18 pages, 11 figures, uses Elsevier file 'elsart.cls', submitted to J. Non-Cryst. Solids