基于快速TCAD仿真与机器学习代理模型的垂直GaN二极管击穿电压最大化
机器学习
2022-10-19 v1 信号处理
摘要
本文采用两种方法加速理论最大击穿电压（BV）约2100V的垂直GaN二极管击穿电压最大化。首先，我们在技术计算机辅助设计（TCAD）中展示了一种快5倍的精确仿真方法。这使我们能在给定仿真时间内多找到50%的高BV（>1400V）设计。其次，利用TCAD生成的数据开发了一个机器学习（ML）模型，并用作差分进化优化的代理模型。相比基于人类领域知识设计的约1100V，它可逆向设计出超出训练范围、BV高达1887V（理想情形的89%）的结构。
引用
@article{arxiv.2208.01142,
title = {Vertical GaN Diode BV Maximization through Rapid TCAD Simulation and ML-enabled Surrogate Model},
author = {Albert Lu and Jordan Marshall and Yifan Wang and Ming Xiao and Yuhao Zhang and Hiu Yung Wong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.01142},
year = {2022}
}
备注
4 pages, 7 figures