具有横向变掺杂（VLD）的结终端扩展（JTE）优化方法
仪器与探测器
2016-12-01 v1
摘要
提出了一种简单有效的结终端设计方法。该优化方法使用依赖于两个参数且可在广泛形状范围内变化的横向电荷函数 F(x)。为证明该方法的有效性，展示了一个高压二极管（1800 V）边缘终端的设计与优化实例。实现的击穿电压达到了相应一维结构击穿电压的 93%。
引用
@article{arxiv.1611.10352,
title = {Junction termination extension (JTE) with variation lateral doping (VLD) optimization method},
author = {Evgeny Chernyavskiy},
journal= {arXiv preprint arXiv:1611.10352},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 5 figures