VBr >10 kV E-Beam/Sputtered Vertical NiOx/(011) β-Ga2O3 HJDs with PFOM >2.3 GW/cm2
应用物理
2026-05-01 v1 材料科学
摘要
β-镀氧化物物料(β-Ga2O3) 在中压力范围内的电力电子应用具有巨大的潜力。本工作报告了制备 VBr >10 kV/Ron,sp=43 mΩ·cm² 级边缘终止垂直异质结二极管(HJD)，其上层为 e-beam/sputtered 镍氧化物(NiOx)堆叠，承载于等向 (011) β-Ga2O3 单晶。该 HJD 的功率性能指标(PFOM)超过 2.3 GW/cm²。提取的平行平面击穿电场 >5.3 MV/cm，这是目前报道的厚(011) β-Ga2O3 单晶漂移层最高的电场值。
引用
@article{arxiv.2604.27262,
title = {VBr >10 kV E-Beam/Sputtered Vertical NiOx/(011) \beta-Ga2O3 HJDs with PFOM >2.3 GW/cm2},
author = {Yizheng Liu and Carl Peterson and Chinmoy Nath Saha and Marko J. Tadjer and Sriram Krishnamoorthy},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.27262},
year = {2026}
}