Ge掺杂光纤中的紫外光致缺陷
材料科学
2016-11-18 v1 无序系统与神经网络
摘要
我们研究了连续波（cw）紫外激光辐射对单模Ge掺杂H2加载光纤的影响。我们开发了一种创新技术，用于测量样品中由辐照引起的光吸收（OA），并研究其对激光通量的依赖关系。电子自旋共振（ESR）技术的联合使用使得对几种辐射诱导点缺陷的结构鉴定成为可能，其中发现Ge(1) (GeO4 -)是所研究光谱区域内诱导OA的原因。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0507405,
title = {UV-Photoinduced Defects In Ge-Doped Optical Fibers},
author = {F. Messina and M. Cannas and K. Medjahdi and A. Boukenter and Y. Ouerdane},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0507405},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 7 figures