基于全息对偶的直流导电率普适性
高能物理 - 理论
2017-02-06 v3
摘要
我们通过全息对偶提出了旋转和平移对称性破缺系统中直流导电率的一个普适公式。该公式表明,在零电荷极限下,沿任意空间方向的直流导电率行列式与黑洞面积密度之比具有一个普适值。作为明确的例证,我们给出若干阐明该公式有效性的例子:我们构造了一个各向异性黑膜解,其产生面内电阻率随温度线性以及面外电阻率的绝缘行为;我们还构造了一个空间各向同性的黑膜解,其中对电阻率的线性-T和二次-T贡献均可实现。
引用
@article{arxiv.1512.01917,
title = {Universality of DC Electrical Conductivity from Holography},
author = {Xian-Hui Ge and Sang-Jin Sin and Shao-Feng Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.01917},
year = {2017}
}
备注
7 pages, references added, typos corrected