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变程跳跃区普适的自旋诱导磁电阻

凝聚态物理 2009-10-28 v1

作者: Yigal Meir

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摘要

我们解析计算了由塞曼自旋劈裂和杂质内相互作用引起的变程跳跃区的磁电阻，并证明它是 $\mu H / kT \log R$ 的普适函数。观察到与一维和二维数值计算的良好一致性。在包含量子干涉效应后，与最近的实验取得了极好的一致性。

关键词

磁电阻变程跳跃塞曼劈裂杂质相互作用普适函数量子干涉

引用

@article{arxiv.cond-mat/9505101,
  title  = {Universal Spin-Induced Magnetoresistance in the Variable-Range Hopping Regime},
  author = {Yigal Meir},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9505101},
  year   = {2009}
}

备注

LaTeX using revtex, 8 pages, postscript figures and bibliography file for the references available on request