在横向甜点附近实现的通用单态-三重态量子比特
量子物理
2021-06-28 v2
摘要
在半导体双量子点（DQD）中实现单态-三重态（ST）量子比特容错量子计算的关键在于以高保真度操控单量子比特门和双量子比特门。可行的方法包括在横向甜点（TSS）附近操控量子比特以降低噪声的主导阶，以及采用对噪声免疫的适当脉冲序列。单量子比特门可通过在 TSS 附近的失谐上引入交流（AC）驱动来实现。DQD 在 TSS 处的大偶极矩实现了量子比特与腔谐振器之间的强耦合，从而产生双量子比特纠缠门。当在适当区域操控并施加适度脉冲序列时，单量子比特门和双量子比特门的保真度均高于 99%。我们的结果表明，利用 TSS 附近的适当脉冲序列可有效获得高保真度 ST 量子比特。
引用
@article{arxiv.2102.00406,
title = {Universal singlet-triplet qubits implemented near the transverse sweet spot},
author = {Wen-Xin Xie and Chengxian Zhang and Zheng-Yuan Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.00406},
year = {2021}
}
备注
13 pages, 7 figures