临界厚度 HgTe 量子阱中的普适法拉第旋转
材料科学
2017-03-17 v1
摘要
在处于平凡绝缘相与拓扑非平凡 Dirac 相边界的薄 HgTe 量子阱中，实验观察到了接近精细结构常数的法拉第旋转角的普适值。法拉第角的量子化值在宽范围的磁场和栅压下保持稳健。从透射数据分析中提取的类空穴载流子的动态霍尔电导率显示了与双重简并 Dirac 态一致的 theoretically predicted 普适值。通过栅压移动费米能级时，电荷载流子的有效符号从正（空穴）变为负（电子）。动态响应的类电子部分不显示量子平台，并且可以用经典 Drude 模型很好地描述。
引用
@article{arxiv.1703.05646,
title = {Universal Faraday rotation in HgTe wells with critical thickness},
author = {A. Shuvaev and V. Dziom and Z. D. Kvon and N. N. Mikhailov and A. Pimenov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05646},
year = {2017}
}