双层石墨烯莫尔超晶格中的倒格点电子-电子散射

近期实验进展的标志是在石墨烯与六方氮化硼（hBN）高度对齐异质结构的莫尔超晶格中观测到弹道电子输运。在此，我们预测与hBN衬底对齐的高质量双层石墨烯具有由莫尔超晶格引起的倒格点电子-电子（Uee）散射所导致的$T^2$依赖电阻率，即一对电子所经历的布里渊散射动量反冲。当双层石墨烯$p$掺杂超过依赖于石墨烯与hBN间扭角的阈值密度时，显著的Uee散射出现，其对电阻率的贡献随空穴密度迅速增长直至达到峰值，该峰值振幅随超晶格周期非单调变化。我们还分析了双层中静电诱导带隙及其在电子色散中增强的三角扭曲对电子-电子倒格点散射的影响。