光激发 Mott-Hubbard 绝缘体中的超快电荷复合
强关联电子
2013-07-12 v1
摘要
我们基于与未掺杂铜氧化物相关的二维模型，计算了激发态空穴 - 双空穴对（holon-doublon pairs）的复合速率。结果表明，即使在定量上，Mott-Hubbard 绝缘体泵浦 - 探测实验中观察到的皮秒级快速过程也可以通过多磁振子发射来解释。其前提条件是存在 s 型 Mott-Hubbard 束缚激子。我们发现其衰变指数依赖于 Mott-Hubbard 能隙和磁振子能量，且具有一个较小的前置因子，这可归因于强关联效应以及由此产生的大激子 - 磁振子耦合。
引用
@article{arxiv.1211.3236,
title = {Ultrafast charge recombination in photoexcited Mott-Hubbard insulator},
author = {Zala Lenarčič and Peter Prelovšek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.3236},
year = {2013}
}
备注
4 pages, 6 figures