一维Mott绝缘体中通过量子隧穿产生电荷：扩展Hubbard模型的数值研究
强关联电子
2026-05-08 v1 光学
摘要
通过量子隧穿产生电荷，即介质击穿，是强光(场)-物质耦合中最基本且重要的现象之一。本文系统地对一维描述为扩展(-) Hubbard模型的Mott绝缘体中的量子隧穿进行数值分析。我们讨论了针对一维Hubbard模型先前推导的doublon-holon(DH)对产生公式的适用性，这突显了隧穿阈值、电荷间隙和相关长度之间的关系。我们测试了该公式预测DH对产生和能量增加速率的能力。利用张量网络方法，我们证明该公式在最邻近相互作用促进的激子态不存在时提供了准确预测。然而，当激子态出现时，该公式更准确地描述能量增加速率而非DH对创建速率，两者都受益于将激子能量纳入有效能隙中进行改进。
引用
@article{arxiv.2503.22481,
title = {Charge creation via quantum tunneling in one-dimensional Mott insulators: A numerical study of the extended Hubbard model},
author = {Thomas Hansen and Lars Bojer Madsen and Yuta Murakami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2503.22481},
year = {2026}
}
备注
14 pages including bibliography and the appendix (11 pages without them), 8 figures in the main text and 1 in the appendix for a total of 9 figures, and 2 tables in the main text