用于 Si/III-V 异质集成的超紧凑绝热双段锥形耦合器
光学
2023-07-19 v1
摘要
本文提出了一种适用于普通单模 SOI 线波导与 Si/III-V 混合波导之间绝热模式转换的超紧凑双段绝热锥形耦合器，用于 Si/III-V 异质集成。由于双段锥形耦合器模拟了半三维锥形结构，并避免了在较厚的 p-InP 包覆层（在第一锥形段中被去除）中激发不需要的高阶模式，因此绝热模式耦合器的长度可以大幅缩短。考虑到掩模设计与制造容差，我们仅在 III/V 结构中设计锥形结构，同时保持 SOI 线波导笔直。在所提出的结构中，双段锥形耦合器的长度可短至 9.5 m，在约 100 nm 的带宽内具有较大的基模耦合比（超过 95%），并且即使当 BCB 层厚度达到 50 nm 时，也能提供 100 nm 的对准容差。
引用
@article{arxiv.1401.5310,
title = {Ultracompact Adiabatic Bi-sectional Tapered Coupler for the Si/III-V Heterogeneous Integration},
author = {Qiangsheng Huang and Jianxin Cheng and Liu Liu and Sailing He},
journal= {arXiv preprint arXiv:1401.5310},
year = {2023}
}
备注
7 pages, 6 figures