通过精确 He⁺ 离子植入实现超小模式体极化子凝聚

我们提出了一种通过聚焦 He⁺ 离子植入在 GaAs 微腔中生成势能景观的新方法。离子束在微腔中植入微尺度非辐射中心图案，这些中心耗尽光子储备并形成损耗定义的势能最小值。在非共挕泵浦下，所得陷阱具有横向尺寸 $\le 1.2 ~ \mathrm{\mu m}$ 和仅约 $0.6 ~ \mathrm{\mu m^3}$ 的三维模式体，足够小以支撑单个极化子凝聚模式。植入过程保持强耦合并提供 lithographic ($< 300 ~ \mathrm{nm}$) 分辨率。这些损耗工程化陷阱有效克服了常规微腔成形技术的微米尺度限制，为量子制程中的器件开发和极化子研究开辟了新途径。