势阱中的 GaAs 微腔激子极化激元
介观与纳米尺度物理
2025-12-31 v1
摘要
我们提出了一种利用金属薄膜在半导体微腔中构建面内横向势的简单方法。产生了两种类型的势：圆形孔径和一维 (1D) 周期性光栅图案。由 24 nm-6 nm Au/Ti 薄膜诱导的势振幅在 6 ~ 8 K 温度下测量约为几百 eV。由于金属层使得电磁场在金属 - 半导体界面处趋近于零，光子模式被更多地限制在腔内。因此，金属膜下的有效腔长减小，相应的腔共振发生蓝移。我们的实验结果与理论估算吻合良好。此外，通过对金属膜施加直流电压，我们能够利用量子限制斯塔克效应修饰量子阱激子模式，在 ~ 20 kV/cm 电场下诱导约 1 meV 的势。我们的方法为低能激子极化激元 (LPs) 产生了可控的面内空间陷阱势，这可作为构建 LP 凝聚体一维阵列和二维晶格的基本单元。
引用
@article{arxiv.0805.4673,
title = {GaAs Microcavity Exciton-Polaritons in a Trap},
author = {Na Young Kim and Chih-Wei Lai and Shoko Utsunomiya and Georgios Roumpos and Michael Fraser and Hui Deng and Tim Byrnes and Patrik Recher and Norio Kumada and Toshimasa Fujisawa and Yoshihisa Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:0805.4673},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 5 figures