空穴掺杂锰氧化物应变薄膜中的两相行为
强关联电子
2019-08-17 v1
摘要
我们研究了双轴应变对锰氧化物薄膜电学与磁学性质的影响。我们观察到，在双轴压应变下生长的锰氧化物薄膜呈现岛状生长形貌，导致应变分布不均匀。这些薄膜的输运与磁学性质表明两种不同的相共存：金属铁磁体与绝缘反铁磁体。我们推测高应变区为绝缘相，而低应变区为金属相。在此类非均匀应变样品中，我们观察到巨大的磁电阻以及场诱导的绝缘体到金属转变。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910501,
title = {Two-phase behavior in strained thin films of hole-doped manganites},
author = {Amlan Biswas and M. Rajeswari and R. C. Srivastava and Y. H. Li and T. Venkatesan and R. L. Greene and A. J. Millis},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910501},
year = {2019}
}
备注
5 pages ReVTeX, 5 figures included, Figures 3, 4 and 5 low resolution, high resolution figures available on request from authors, submitted to Phys. Rev. B