单层蜂窝状磁性薄膜中的应变效应建模
强关联电子
2009-11-10 v1 材料科学
摘要
分析了 钙钛石型薄膜中厚度依赖性和应变效应，处于巨磁阻抗运动 regime。计算基于此前用于研究单块体的变分方法的推广。发现薄膜厚度减小时，临界温度和磁化强度下降，低温电阻率上升。通过由于基片引起的薄膜晶格单元变形导致的面内和面外电子跳跃幅度修改来引入应变。只有正确考虑跳跃矩阵元随 键角变化的依赖性，才能使应变对相变温度和输运性质的影响与实验数据良好一致。最终，厚度变化导致的电子-声子耦合变化在影响薄膜中共存相的平衡方面起到了重要作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0310758,
title = {Modelling of strain effects in manganite films},
author = {C. A. Perroni and V. Cataudella and G. De Filippis and G. Iadonisi and V. Marigliano and F. Ventriglia},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0310758},
year = {2009}
}
备注
7 figures. To be published on Physical Review B