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单轴应变对LaMnO_3的影响

强关联电子 2009-10-31 v1 材料科学

摘要

利用广义弹性能量表达式以及能带理论的紧束缚参数化,计算了单轴应变对LaMnO_3的结构、轨道、光学和磁学性质的影响。发现约2%的拉伸单轴应变(即由与衬底的晶格失配在薄膜中诱导的应变数量级)导致磁基态的变化,引起能带结构和光学电导谱的显著变化。还确定了与未应变LaMnO_3的奈尔转变相关的磁致伸缩效应。由于姜-泰勒耦合,LaMnO_3中的均匀四角畸变模式比掺杂立方锰酸盐更软。讨论了为什么观测到的(ππ0)(\pi\pi 0)轨道序优于(πππ)(\pi\pi\pi)周期性。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/0004295,
  title  = {Effects of uniaxial strain in LaMnO_3},
  author = {K. H. Ahn and A. J. Millis},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0004295},
  year   = {2009}
}

备注

9 figures, submitted in Phys. Rev. B