压缩Pr1-xCaxMnO3薄膜中的两个绝缘相
材料科学
2008-10-13 v1
摘要
研究了生长在LaAlO3上的两种Pr1-xCaxMnO3（x=0.5和0.4）薄膜的电阻率随温度的变化，作为静水压力（高达2.5 GPa）和磁场（高达9T）的函数。两个样品均显示电阻率随压力增加而单调下降，在2.5 GPa时变化为-35%。在随温度变化的电阻率中未观察到压力诱导的金属-绝缘体转变。高压与磁场之间的非平凡相互作用表明，压力的效应不能简单地重新标度为特定磁场的效应，正如相应块体材料所报道的那样。我们基于相分离提出了一种对数据的解释，其中两种不同的绝缘相共存：对磁场和压力都敏感的电荷有序相，以及另一个可由磁场调控的绝缘相。这一结果表明，通过独立施加磁场和/或外部压力，可以在薄膜中调控相分离。
引用
@article{arxiv.0809.2184,
title = {Two insulating phases in compressed Pr1-xCaxMnO3 thin films},
author = {M. Filippi and W. Prellier and P. Auban-Senzier and C. R. Pasquier},
journal= {arXiv preprint arXiv:0809.2184},
year = {2008}
}
备注
9 pages, 3 figuresn submitted to Applied Physics Letters