半导体中扭曲光诱导的光学跃迁:自由载流子量子动力学
介观与纳米尺度物理
2011-02-24 v1 量子物理
摘要
我们从理论上研究了体半导体中由携带轨道角动量的光(即扭曲光)诱导的带间跃迁和量子动力学。我们基于电子布居数以及带间和带内相干性的海森堡运动方程来提出问题。我们的理论将自由载流子半导体布洛赫方程推广到扭曲光光激发的情形。该理论使用柱坐标进行表述,与用于研究常规光激发的常用笛卡尔坐标相比,柱坐标更适合描述与扭曲光的相互作用。我们在低激发条件下求解运动方程,并获得了相干性和布居数的解析表达式;利用这些结果,我们计算了从光转移到电子的轨道角动量以及顺磁和抗磁电流密度。
引用
@article{arxiv.1102.4765,
title = {Twisted-light-induced optical transitions in semiconductors: Free-carrier quantum kinetics},
author = {G. F. Quinteiro and P. I. Tamborenea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.4765},
year = {2011}
}
备注
11 pages, 3 figures