正入射下量子阱中扭光诱导的子带间跃迁
介观与纳米尺度物理
2013-09-09 v1 光学
摘要
我们从理论上研究了在正入射条件下，由携带轨道角动量的激光束（扭光）在半导体量子阱中诱导的子带间跃迁。由于准直激光束在传播方向上存在电场分量，使得这些跃迁无需光栅即可发生。我们推导了傍轴近似下由矢量势表示的贝塞尔型扭光光束的光 - 物质相互作用矩阵元。随后，我们考虑了光激发电子在标准半导体量子阱的第一和第二子带之间进行子带间跃迁的动力学过程。最后，我们分析了光 - 物质矩阵元，以评估在小型半导体结构中，对于给定光束轨道角动量，哪些跃迁更为有利。
引用
@article{arxiv.1309.1729,
title = {Twisted-light-induced intersubband transitions in quantum wells at normal incidence},
author = {B. Sbierski and G. F. Quinteiro and P. I. Tamborenea},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.1729},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 2 figures