扭曲光对体半导体的带隙下激发
介观与纳米尺度物理
2014-12-16 v1 光学
摘要
我从理论上研究了体半导体对带隙能量以下的扭曲光激发的响应。为此，我修改了一个众所周知的光 - 半导体相互作用模型，以考虑光动量的守恒。我表明，激发态可以被视为经历复杂质心运动的微扰激子态的叠加。此外，吸收将发生在略微偏移的能量处（与平面波相比），并在偏振和电流中表现出复杂的空间图案。
引用
@article{arxiv.1309.3064,
title = {Below-bandgap excitation of bulk semiconductors by twisted light},
author = {G. F. Quinteiro},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3064},
year = {2014}
}