半导体中位移电流量子动力学理论
材料科学
2009-10-31 v1
摘要
我们发展了激光束发生位移电流理论，用于无中心对称性半导体。电流源于激发电子在不同能带之间转移或在这些能带内散射时，其质心在 elementary 单元中不对称地位移。通过非平衡格林函数推导了热载流子分布的量子动力学方程以及诱导电流的表达式。在应用中，我们将方法简化为玻尔兹曼极限，并用于在 LO 声子散射存在的情况下模型化激光激发的 GaAs。位移电流在稳态 regime 中计算。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011206,
title = {Quantum kinetic theory of shift current electron pumping in semiconductors},
author = {Petr Kral},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011206},
year = {2009}
}
备注
23 pages, 5 figures (Latex)