强磁场中二维电子系统的隧穿

我们研究了强磁场中相互作用的二维电子系统中单电子格林函数的性质，该函数描述了电子隧穿到此类系统的过程。通过有限尺寸对角化，我们发现其谱权重在零能量附近被抑制，在约$0.2e^{2}/\epsilon l_{c}$的能量处达到最大值，并在更高能量下指数衰减。我们提出了一个理论模型来解释低能行为。对于电子之间的库仑相互作用，在偶数分母填充因子如$\nu=1/2$的情况下，我们预测当$\omega\rightarrow 0$时，谱权重按$e^{-\omega_0/|\omega|}$变化。