导电氧化物界面单步纳米光刻构建的量子限制结构中的隧穿
强关联电子
2016-07-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提出了一种与导电氧化物界面兼容的新纳米光刻技术，该技术仅需单次光刻步骤，无需额外的非晶层沉积或蚀刻。在SrTiO3/LaAlO3界面上展示了该技术，其中在电子液体中图案化出一个收缩结构。我们发现额外的背栅极可以进一步将电子液体限制成一个孤立的岛。电导和微分电导测量显示了通过该岛的共振隧穿。分析了不同温度和磁场下的数据，发现有效岛尺寸约为10nm。磁场依赖性表明岛中不存在自旋简并。我们的方法适用于制造基于超导和氧化物界面的电子器件。
引用
@article{arxiv.1606.09340,
title = {Tunneling into a quantum confinement created by a single-step nano-lithography of conducting oxide interfaces},
author = {E. Maniv and A. Ron and M. Goldstein and A. Palevski and Y. Dagan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.09340},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 5 figures