高次谐波体声波谐振器中包络的调谐
应用物理
2018-08-31 v1
摘要
本报告提出了一种称为高次谐波体声波谐振器（HBAR）的稳健复合谐振器，用于实验展示该谐振器通过施加直流偏置调谐频谱包络的能力。所报道的 HBAR 在 700 MHz 至 3 GHz 频率范围内表现出极高的品质因数，并在宽微波频率范围内具有高有效耦合系数。该 HBAR 基于夹在两个电极之间形成换能器的薄 Ba0.5Sr0.5TiO3 薄膜，并由厚蓝宝石衬底支撑，蓝宝石是低声学损耗材料。该谐振器基于施加直流偏置引起的诱导压电性原理工作。包络极小值从 100 kV/cm 偏置下 1.16 GHz（S11 为 -3.51 dB）变化到 700 kV/cm 偏置下 1.90 GHz（S11 为 -42.23 dB），包络的相对可调性约为 64%。本报告还给出了不同偏置电压下并联谐振频率间距（SPRF）。该谐振器在约 2 GHz 处的品质因数超过 22,000。
引用
@article{arxiv.1808.10115,
title = {Tuning of envelope in high overtone bulk acoustic wave resonator},
author = {Kongbrailatpam Sandeep and J Pundareekam Goud and K. C. James Raju},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.10115},
year = {2018}
}